SIC 陶瓷散熱片
1.SiC導熱原理

陶瓷散熱片係利用碳化矽SiC的物理特性,配合連續多孔性之陶瓷成型技術,製造出導熱及散性能優良、體積輕薄之陶瓷散熱片。在現今電子材料不斷追求微小化與高性能的趨勢中,有助於提升科技產品過熱有效的發散,遏止零組件無法正常的作動的發生,以提高運作效率。
• SiC材料為結晶的粉末,屬於非金屬材料。晶體結構中沒有自由電子,所以有優秀的絶緣性。
• SiC傳熱屬聲子導熱機理,當晶格完整無缺陷時,聲子的平均自由程越大,熱導率就愈高。
• SiC材料的輻射機制是由「隨機性振動」的「非諧振效應」的二聲子和多聲子產生高輻射SiC。
2.SiC陶瓷散熱器特色

◆ 熱膨脹係數低,與電子元件熱膨脹係數相符
◆ 降低電磁干擾,遏止EMC與EMI發生
◆ 耐冷熱衝擊性,不受環境溫度影響
◆ 輻射式高孔隙率,優越的散熱性能
◆ 薄型化體積,不佔空間,適用於產品設計的合理佈局
◆ 可客製化為可撓性,承受外力造成彎曲變形的耐性
3.SiC陶瓷散熱器材料規格
顏色Color | 灰綠 |
氣孔率Porosity | 42.4% |
吸水率 Water absorption | 15.77% |
硬度Moths’hardness | 25~30HR |
彎曲強度Flexural strength | 47.5kgf/cm2 |
體密度Bulk density | 1.85g/cm2 |
絕緣阻抗Insulation resistance | 10MΩ |
熱傳導係數Thermal conductivity | 8W/ mK |
最高操作溫度Max operating temperature | 700°C |
耐電壓Dielectric Withstanding Voltage | 6KV |
線性熱膨脹係數Linear thermal expansion coefficient | 4.13 10-6 K-2 |
4-1.SiC陶瓷散熱器與金屬散熱器之比較
SiC陶瓷散熱器 | 金屬散熱器 | |
耐用 | 耐高溫、抗氧化、抗冷熱衝擊、耐酸鹼、防腐蝕 | 容易氧化、不耐酸鹼、高溫表面易變質 |
環保 | 綠色環保材質與環保製程產品、對環境友善符合RoHS標準 | 表面處理產品需經鉻酸處理、容易造成金屬污染及人體危害 |
輕薄 | 體積薄、重量輕巧、容易符合 各種產品需求 | 體積大佔空間且欠缺變化,難以適應新型科技產品開發 |
散熱佳 | 散熱瓦數高、不蓄熱、直接散熱 | 散熱瓦數低,熱階梯現象會影響散熱效率 |
抗磁波 | 抗電磁波干擾、可以隔絕並吸收部份電磁波 | 不能抗磁波干擾,且金屬本身會影響電磁波 |
4-2.各別廠商SIC散熱片之性能差異
甫剛 | A公司 | B公司 | |
顏色 | 灰綠 | 灰 | 灰 |
圖片 | ![]() |
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主要成分(碳化矽)% | >99.2 | >80 | 未提供 |
氣孔率(%) | 42.4 | 30 | 30 |
吸水率(%) | 15.77 | 15.77 | 未提供 |
比重(g/cm³) | 2.66 | 2.7 | 1.89 |
彎曲強度(kgf/c㎡) | 47.5 | 47.5 | 47.5 |
體密度(g/cm³) | 1.85 | 1.89 | 未提供 |
熱傳導係數(W/ mK) | 8 | 6.79 | 6.79 |
最高操作溫度(℃) | <700 | <500 | <500 |
耐電壓(KV) | 6KV | 未提供 | <5KV |
線性熱膨脹係數 | 4.13 10-6 K-1 | 4.13 10-6 K-1 | 4.13 10-6 K-1 |
5.常用散熱材質K值比較
材質 | 銅 | 鋁 | 石墨 | 矽 |
熱傳導係數K值 (W/ mK) |
401 | 237 | 400 | 157 |
◆ SiC碳化矽本身具有高導熱性,密度2.6g/cm3時,K值為340W/mK,如需同時具有散熱功能時,
密度約在1.66~1.85g/cm3,K值為8W/mK.
6.應用範圍
- 電腦系統與週邊產品之零組件散熱模組: CPU, GPU, Power, Chip, memory module.
- 網路通訊產品 :Set top box, mobile phone.
- 光電影音產品 :LED液晶螢幕與電視, LED省電燈座,PCB ( 軟, 硬式印刷電路板 ),陶瓷基板.
- 工業產品應用 :馬達, 引擎內部塗層,漆料添加物,熱交換器, 電動車車用電池,工業噴嘴, etc.
7.生產製造流程
進料檢驗

槳料混合

乾燥成型

生胚成型

高溫燒結成型

QA檢驗

包裝出貨
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